Главный технический директор (CTO) дизайн-центра СВЧ-электроники

Специализированный дизайн-центр по разработке СВЧ-электроники. Проектируют транзисторы и монолитные интегральные схемы (МИС) для радаров и телекоммуникаций, используя современные технологии (GaN, SiC, pHEMT). Производство размещают на партнёрских заводах. Есть академический партнер и весомые инвесторы.

Нужен технический лидер, будет строить компанию с нуля. Ожидается активное участие в проектировании, формировании команды и технологической стратегии.

Задачи:

- Определять стратегию: выбирать технологии и продукты, формировать дорожную карту развития.

- Проектировать изделия: лично участвовать в разработке первых транзисторов и МИС, работать в САПР (ADS, AWR), анализировать результаты измерений.

- Управлять производством: взаимодействовать с заводами, работать с PDK, контролировать выпуск кристаллов.

- Строить команду: нанимать инженеров, формировать инженерную культуру.

- Взаимодействовать с партнерами: ставить задачи, привлекать подрядчиков.

- Поддерживать бизнес: помогать готовить технические предложения для заказчиков и инвесторов.

Требования:

- Высшее техническое образование (СВЧ, радиофизика, электроника). Кандидат наук — плюс.

- Опыт проектирования СВЧ-транзисторов и МИС от 8 лет, с подтверждённым выходом в серию.

- Глубокие знания технологий GaN/SiC или pHEMT.

- Уверенное владение САПР Keysight ADS или Cadence AWR.

Условия:

- Оклад: выше рынка, обсуждается индивидуально.

- Опцион: доля в компании, условия обсуждаются.

- Локация: Москва или Санкт-Петербург, возможна гибридная работа.

- Инструменты: предоставляется лицензии на ПО, вычислительные мощности и доступ к измерительному оборудованию.